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Dispositivos Semicondutores
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Coordenador: Inés Pereyra
E-mail: ipereyra@lme.usp.br

O objetivo desta linha de pesquisa é utilizar os novos materiais estudados pelo grupo no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Assim, têm sido desenvolvidas células solares, transistores de filme fino (TFT's), diodos e capacitores metal-óxido-semicondutor (MOS). Dentre os materiais utilizados até o momento destacam-se: O silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) obtido por PECVD, utilizado como camada semincondutora em dispositivos de filme fino (transistores, capacitores), O carbeto de silicio amorfo hidrogenado (a-SiC:H) obtido por PECVD, que quando ricos em carbono podem ser utilizados como camada dielétrica em capacitores e transistores (filmes estequimétricos). Por outro lado, quando estequiométricos (SiC), dopados e tratados termicamente, apresentam boas propriedades semicondutoras. O oxinitreto de silício (SiOxNy) obtido por PECVD, que apresenta propriedades de interface e campo elétrico de ruptura, semelhantes às do dióxido de silício (SiO2) obtidos termicamente. Assim, podem ser utilizados em TFT´s, capacitores MOS com a vantagem de serem obtidos a baixas temperaturas (320oC). O óxido de titánio (TiO2 ) e o o oxinitreo de titánio (TiOXNY) obtidos por sputtering à temperatura ambiente. Estes materiais apresentam altos valores de constante dielétrica (>40) e são de grande interesse na area de dispositivos MOS para substituir os dielétricos atuais.

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