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Alessandro Ricardo de Oliveira Colaborador
E-mail:
aroliv@lme.usp.br
Fone: +55 11 3091-0723
Sala: C1-54
Currículo Lattes: http://lattes.cnpq.br/1588579933382670
Orientador/Supervisor: Marcelo Nelson Páez Carreño
Perfil/Atividades

Possui graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo (1999) , mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2002)  e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2006). Também realizou Pós-Doutorado (FAPESP) no GNMD, tendo desenvolvido trabalhos na área de novos materiais para aplicação em microeletrônica. Em particular, possui experiência na obtenção, caracterização e aplicações do carbeto de silício obtido por PECVD (a-SiC:H),  processos de dopagem elétrica, dispositivos semicondutores e desenvolvimento de software.

 

Na área de desenvolvimento de software, coordena a área de desenvolvimento de sistemas web, junto ao Núcleo de Desenvolvimento de Software (NDS), onde atua na  área de aplicações web 2.0.

Trabalhos relacionados
Teses e dissertações

Tese doutorado: Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos elétricos baseados em filmes finos de carbeto de silí­cio obtido por PECVD

Data defesa: 30/08/2006
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Dissertação mestrado: Dopagem elétrica de filmes finos e a-SiC:H obtidos por PECVD

Data defesa: 01/07/2002
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Produção Acadêmica
  1. Post thermal annealing crystallization and reactive ion etching of SiC films produced by PECVD; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; Journal of Non-Crystalline Solids, 352 (2006) 1392
  2. N and p-type doping of stoichiometric PECVD a-SiC:H exhibiting high structural and chemical order; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 128 (2006) 44 - 49
  3. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; Journal of Integrated Systems and Circuits, 1 (2004) 26
  4. Structural and electrical properties of low-temperature PECVD SiC/c-Si heterostructures; OLIVEIRA, A. R.; Pereyra I; CARREÑO, M. N. P.; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 112 (2004) 144
  1. Formation of 3C-SiC films on silicon by thermal annealing process; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: , 352 (2004) 1438 - 1443,
  2. Electrical characterization of postgrowth crystallized PECVD SiC films; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: 20th Symposium On Microelectronics Technology And Devices, 200508 (2004) 61 - 65, Florianópolis - Santa Catarina
  3. Structural and electrical properties of low-temperature PECVD SiC/c-Si heterostructures; OLIVEIRA, A. R.; Pereyra I; CARREÑO, M. N. P.; In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, SBPMat 2004, (2003) 153 , Foz do Iguaçú
  4. In-situ and ion implantation nitrogen doping on near stoichiometric a-SiC:H films; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, SBPMat 2004, (2003) 152 , Foz do Iguaçú
  5. Optimization of n and p-type doping by ion implantation in highly ordered stoichiometric a-SiC:H obtained by PECVD; OLIVEIRA, A. R.; Pereyra I; CARREÑO, M. N. P.; In: 19th Symposium Microelectronics Technology and Devices, SBMicro, PV2004 (2003) , Porto de Galinhas - Recife
  6. Phospohrus implantation on near stoichiometric a-SiC:H films; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: , 14 (2002) 281 - 287,
  7. Monte Carlo simulation of doping by ion implantation into a-SiC:H; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.; In: , (2001) 0 - 0,
  1. Optimization of n and p-type doping by ion implantation in highly ordered stoichiometric a-SiC:H obtained by PECVD; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: , 27/A (2002) 146 - 149,
  2. Dopagem tipo P em filmes de a-SiC:H obtidos por PECVD; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: , 97-98 (2000) 871 - 874,
  3. Dopagem elétrica de filmes finos de a-SiC:H com alumínio; OLIVEIRA, A. R.; CARREÑO, M. N. P.; In: , 227 (2000) 483 - 487,
Orientações em andamento

INICIAÇÃO CIENTÍFICA

  1. Cláudia Satie Fujiwara
    DESENVOLVIMENTO DE FERRAMENTAS BASEADAS EM TECNOLOGIAS WEB 2.0 PARA A VISUALIZAÇÃO DE GRÁFICOS A PARTIR DE UMA BASE DE DADOS
    2008

Não há orientações concluídas.
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