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Inés Pereyra Líder
E-mail:
ipereyra@lme.usp.br
Fone: +55 11 3091-5256
Sala: C2-66
Currículo Lattes: http://lattes.cnpq.br/4114362227717797
Perfil/Atividades

Graduada em Física pela Universidad de Buenos Aires em 1973,  é  PhD - Physics pela Universidade de Delaware (1980).  Fez pós-doutorado no Institute of Energy Conversion da Universidade de Delaware entre 1981-1982.  Atualmente é professora titular da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, onde fundou e lidera até hoje, o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos, onde coordena pesquisas envolvendo a obtenção e propriedades de Novos Materiais (dielétricos e semicondutores obtidos por PECVD e "Sputtering" )  e Materiais Nano-Estruturados (Clusters e Naotubos de TiO2 e Carbono) para aplicação em dispositivos semicondutores, Células Fotovoltaicas, Dispositivosa Opto-Eletrônicos, MEMS e Microfluídica.  

Na atualidade é Coordenadora Geral do Laboratório de Microeletrônica (LME) da Escola Politécnica da USP, e também Vice Chefe do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da EPUSP.

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Trabalhos relacionados
Produção Acadêmica
  1. TiO2 Nanotubes Production and Characterization; FRAGA, T. M.; ALBERTIN, K. F.; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ECS Transactions, 49 (2012) 199 - 205
  2. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiO N films dielectric layer; Albertin, Katia Franklin; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALBERTIN, K. F.; Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews, 7 (2010) 937 - 940
  3. Study of TiOxNy MOS Capacitors; ALBERTIN, K. F.; CRIADO, D.; A. Zuñiga; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ECS transactions, 31 (2010) 349 - 358
  4. a-SiC:H films deposited by PECVD for MEMS applications; Pelegrini, Marcus V.; Rehder, Gustavo P.; Pereyra, Inà s; physica status solidi (c), 7 (2010) NA - NA
  5. PECVD Silicon Oxynitride as Insulator for MDMO-PPV Thin-Film Transistors; M.R. Cavalari; ALBERTIN, K. F.; G.Santos; C.R. Ramos; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; F.J. Fonseca; A.M. Andrade; JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems (Ed. Português), 5 (2010) 116 - 124
  6. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications; Oliveira, Alessandro R.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Carreño, M.N.P.; physica status solidi (c), (2010) NA - NA
  7. Characterization of AlN films deposited by r.f. reactive sputtering aiming MEMS applications; Pelegrini, Marcus V.; Pereyra, Inà s; physica status solidi (c), 7 (2010) NA - NA
  8. Study of phase separation and photo- luminescent emission in silicon nanostructured PECVD systems; RIBEIRO, Marcia; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; physica status solidi (c), (2010) NA - NA
  9. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiO[sub x] and TiO[sub x]N[sub y] gate dielectric layer; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009) 236
  10. Structural and morphological studies on SiOxNy thin films; CRIADO, D; ZUNIGA, A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 2646 - 2651
  11. Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys.; RIBEIRO, Marcia; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of the Electrochemical Society, 14 (2008) 349 - 357
  12. Study of reactive sputtering titanium oxide for metal-oxide-semiconductor capacitors; ALBERTIN, K; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALBERTIN, K. F.; Thin Solid Films, (2008) 4548 - 4554
  13. Improved effective charge density in MOS Capacitors with PECVD SiOxNy dielectric layer obtained at low RF power; ALBERTIN, K.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 2646 - 2651
  14. Study of MOS Capacitors with TiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric layer; ALBERTIN, K.F.; VALLE, M. A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; JICS. Journal of Integrated Circuits and Systems, 2 (2007) 89 - 93
  15. Al Thermal Diffusion in a-Si1-xCx:H Thin Film Studied by XAFS; PRADO, R.J.; FANTINI, M.C.A.; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FLANK, A. M.; AIP Conference Proceedings, 882 (2007) 529 - 531
  16. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication; Forhan, Neisy A. E.; Fantini, Márcia C. A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of the Brazilian Chemical Society, 17 (2006) 1158
  17. Local bonding in PECVD-SiOxNy films; SOUZA, D. C. P.; ALAYO, M.I.; FANTINI, M.C.A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 352 (2006) 1298 - 1302
  18. Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications; SOUZA, D. C. P.; ALAYO, M.I.; FANTINI, M.C.A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 352 (2006) 2319 - 2323
  19. Correlation of PECVD SiOxNy dielectric layer structural properties and Si/SiOxNy/Al capacitors interface electrical properties; ALBERTIN, K.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 352 (2006) 1438 - 1443
  20. One step a-Si:H TFT´s with PECVD SiOxNy gate insulator; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Revista Mexicana de Fisica, 52 (2006) 83 - 85
  21. Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication; GARCIA, B; ESTRADA, M; ALBERTIN, Katia F; RESENDIZ, L.; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Solid-State Electronics, 50 (2006) 241 - 247
  22. Study of PECVD SiOxNy films dielectric properties with different nitrogen concentration utilizing MOS; ALBERTIN, K.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Microelectronic Engineering, 77 (2005) 144 - 149
  23. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide; DA SILVA, C.R.S.; JUSTO, J.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ASSALI, L. V. C.; Diamond and Related Materials, 14 (2005) 1142
  24. Structural analysis of silicon oxynitride films deposited by PECVD; CRIADO, D; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FANTINI, M.C.A.; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 112 (2004) 123 - 127
  25. Amorphous hydrogenated carbon-nitride films prepared by RF-PECVD in methane-nitrogen atmospheres; MOTTA, E.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 338-40 (2004) 525 - 529
  26. Hydrogen effusion from highly-ordered near-stoichiometric a-SiC:H; CAMARGO, S. S.; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 338 (2004) 70 - 75
  27. Fabrication of PECVD-silicon oxynitride-based optical waveguides; ALAYO, M.I.; CRIADO, D; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 112 (2004) 154 - 159
  28. Crystalline silicon oxycarbide: Is there a native oxide for silicon carbide?; DA SILVA, C.R.S.; JUSTO, J.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Applied Physics Letters, 84 (2004) 4845 - 4847
  29. Structural and electrical properties of low-temperature PECVD SiC/c-Si heterostructures; OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 112 (2004) 144 - 146
  30. Deposition and characterization of silicon oxynitride for integrated optical applications; ALAYO, M.I.; CRIADO, D; GONCALVES, L.C.D.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 338-40 (2004) 76 - 80
  31. Evidence of clusters size-dependent photoluminescence on silicon-rich silicon oxynitride films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FANTINI, M.C.A.; ALAYO, M.I.; OLIVEIRA, R.A.R.; RIBEIRO, M.; SCOPEL, W.L.; Materials Science and Engineering. B, Solid State Materials for Advanced Technology, 112 (2004) 116 - 119
  32. Nano-crystalline Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiC-on insulator application; FORHAN, N.A.E.; FANTINI, M.C.A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 338-40 (2004) 119 - 122
  33. Study of nitrogen-rich silicon oxynitride films; CRIADO, D; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALAYO, M.I.; Thin Solid Films, 425 (2003) 275 - 281
  34. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films; SCOPEL, W.L.; DA SILVA, A.J.R.; ORELLANA, W; PRADO, R.J.; FANTINI, M.C.A.; FAZZIO, A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Physical Review B - Solid State, 68 (2003)
  35. Silicon Rich Silicon Oxynitride Films for Photoluminescence Applications; RIBEIRO, M.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALAYO, M.I.; Thin Solid Films, 426 (2003) 200 - 204
  36. MOS capacitors with PECVD SiOxNy insulating layer; ALBERTIN, K.F.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALAYO, M.I.; Materials Characterization, 50 (2003) 149 - 154
  37. Structural Investigation of Si-Rich Amorphous Silicon Oxynitride Films; SCOPEL, W.L.; FANTINI, M.C.A.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Thin Solid Films, 425 (2003) 275 - 281
  38. Silicon clusters in PECVD silicon-rich SiOxNy; OLIVEIRA, R.A.R.; RIBEIRO, M.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALAYO, M.I.; Materials Characterization, 50 (2003) 161 - 166
  39. Annealing effects of highly homogeneous a-Si1-xCx:H; PRADO, R.J.; D'ADDIO, T.F.; FANTINI, M.C.A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FLANK, A. M.; Journal of Non-Crystalline Solids, 330 (2003) 196 - 215
  40. Local Structure and Bonds of Amorphous Silicon Oxynitride Thin Films; SCOPEL, W.L.; FANTINI, M.C.A.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Thin Solid Films, 413 (2002) 59 - 64
  41. Local Order Structure of a-SiOxNy:H Grown by PECVD; SCOPEL, W.L.; FANTINI, M.C.A.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Brazilian Journal of Physics, 32 (2002) 366 - 368
  42. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhancsd chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SCOPEL, W.L.; FANTINI, M.C.A.; Thin Solid Films, 402 (2002) 154 - 161
  43. Preparation and Characterization of Nanocrystalline h-BN prepared by PECVD Method; LÓPEZ, J. V.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.; CRUZ, N. C.; RANGEL, E. C.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Brazilian Journal of Physics, 32 (2002) 372 - 375
  44. PECVD-SiOxNy Films for Large Area Self-Sustained Grids Applications; CARREÑO, M. N. P.; ALAYO, Marco Isaías; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; LOPES, A. T.; Sensors and Actuators. A, Physical, 100 (2002) 295 - 300
  45. Iprovements on the local order of amorphous hydrogenated silicon carbide films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PRADO, R.J.; VILLACORTA, C. A.; FLANK, A. M.; FANTINI, M.C.A.; J Non Cryst Sol, 283 (2001) 1 - 10
  46. Mechanical and Thermophysical Properties of PECVD Oxynitride Films Measured by MEMS; GUIMARAES, M. S.; SINATORA, A.; ALAYO, Marco Isaías; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Thin Solid Films, 398 (2001) 626 - 631
  47. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma chemical vapor deposition ; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SCOPEL, W.L.; FANTINI, M.C.A.; TABACKNICS, M. R.; ALAYO, M.I.; Journal Of Non Crystalline Solids, 288 (2001) 88 - 99
  48. Optimization of the i-layer width of Cr-a-Si : H PIN X-ray detectors; ESTRADA, M.; CERDEIRA, A.; LEYVA, A.; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Thin Solid Films, 396 (2001) 235 - 239
  49. Wide optical bandgap window layer for Solar Cells; YU, Z.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Solar Energy Materials and Solar Cells, 66 (2001) 155 - 162
  50. Structural and morphological investigation of amorphous hydrogenated silicon carbide; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PRADO, R.J.; FANTINI, M.C.A.; ODO, G. Y.; LEPIENSKI, C. M.; J Appl Crystallography, 34 (2001) 465 - 472
  51. High deposition rate a-Si:H layers from pure SiH4 and from 10% dilution of SiH4; ESTRADA, M.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SOTO, S.; Thin Solid Films, (2000)
  52. Mechanical properties of boron nitride thin films obtained by rf-pecvd at low temperatures; LÓPEZ, Johnny Vilcarromero; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Thin Solid Films, 373 (2000) 273 - 276
  53. P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 266 (2000) 699 - 703
  54. Caracteristics of high deposition rate PIN diodes from pure SiH4 and 10 % dissolution of SiH4 in H2; ESTRADA, M.; CERDEIRA, A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SOTO, S.; Ieee Trans Nuc Sci, 47 (2000) 176 - 179
  55. Highly ordered amorphous Silicon-Carbon Alloys obtained by rf PECVD; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; VILLACORTA, C. A.; PRADO, R.J.; FANTINI, M.C.A.; Brazilian Journal of Physics, 30 (2000) 533 - 540
  56. Observation of Negative Differential Resistance in mc-Si:H/a-Si1-xCx:H Double Barrier Devices; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; YU, Z.; Japanese Journal of Applied Physics, 38 (1999) 1317 - 1319
  57. P-I-N diodes on high deposition rate thick a-Si:H layers from pure SiH4 and from 10% dilution of SiH4,; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ESTRADA, M.; Thin Solid Films, 346 (1999) 255 - 260
  58. Observation of Negative Differential Resistance in mc-Si:H/a-Si1-xCx:H Double Barrier Devices; YU, Z.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Japanese Journal of Applied Physics, 38 (1999) 1317 - 1319
  59. N-Type doping in PECVD a-Si1-xCx:H obtained under Starving Plasma condition; CARREÑO, M. N. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PERES, H. E. M.; Journal of Non-Crystalline Solids, 227 (1998) 483 - 487
  60. N-Type doping in PECVD a-Si1-xCx:H obtained under Starving Plasma condition; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PERES, H. E. M.; Journal of Non-Crystalline Solids, (1998) 483 - 487
  61. The Influence of staving plasma regime on carbon content and bond in a-Si1-xCx:H; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; PRADO, R. J.; BITTENCOURT, D. R. S.; TABACKNICS, M. H.; FANTINI, M. C. A.; Journal of Applied Physics, 38 (1998) 2371 - 2379
  62. Thick SiOxNy and SiO2 Films Obtained by PECVD Technique at Low Temperatures; ALAYO, Marco Isaías; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARREÑO, M. N. P.; Thin Solid Films, 332 (1998) 40 - 45
  63. P-I-N Diodes on high deposition rate thick a-Si:H layers from pure SiH4; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ESTRADA, M.; Thin Solid Films, (1998)
  64. Distribution of pores in a-Si 1-x C :H thin films; PRADO, R.J.; BITTENCOURT, D. R. S.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; TABACKNICS, M. R.; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; Journal of Applied Crystallography, 30 (1997) 659 - 663
  65. Doping Efficiency in Highly Ordered PECVD a-Si1-xCx:H; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Brazilian Journal of Physics, 27/A (1997) 166 - 169
  66. Improvement of the Structural Properties of Near Stoichiometric PECVD SiO2; Alayo, M. I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Brazilian Journal of Physics, 27/A (1997) 146 - 149
  67. The Carbon Incorporation in PECVD a-Si1-xCx:H in the Low power Density Regime; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; TABACKNICS, M. R.; PRADO, R.J.; FANTINI, M.C.A.; Brazilian Journal of Physics, 27/A (1997) 150 - 153
  68. High Quality Low Temperature DPECVD Silicon Dioxide; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Alayo, M. I.; Journal of Non-Crystalline Solids, 212 (1997) 225 - 231
  69. Intrinsic and Doped Microcrystalline Silicon Films for Application in Double Barrier Structures; YU, Z.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; D'ADDIO, T.F.; FANTINI, M.C.A.; Brazilian Journal of Physics, 27(A) (1997) 105 - 109
  70. Low Temperature PECVD Boron Nitride; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; BOTTECHIA, J. P.; Thin Solid Films, 308 (1997) 219 - 222
  71. On the Structural Properties of a-SiC:H thin films; MASTELARO, V.; FLANK, A. M.; FANTINI, M.C.A.; BITTENCOURT, D. R. S.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Applied Bacteriology, 79 (1996) 1324
  72. High Quality Low Temperature Dpecvd Silicon Dioxide; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ALAYO, M.I.; Thin Solid Films, 212 (1996) 225 - 231
  73. Wide Gap a Si1-xCx:H thin Films Obtained under Starving Plasma Deposition Conditions; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; Journal of Non-Crystalline Solids, 201 (1996) 110 - 118
  74. Effect of plasma Etching, Carbon Concentration and Buffer Layer on the Properties of a-Si:/H/a-SiC:H Multi Layers; VELASQUEZ, E. L. Z.; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; TAKAHASHI, H.; LANDERS, R.; Journal of Applied Physics, 75 (1994) 543
  75. Microvoids in Diamond Like Amorphous Silicon Carbide; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FANTINI, M.C.A.; TAKAHASHI, H.; LANDERS, R.; Journal of Applied Physics, 75 (1994) 538
  76. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multyi Layers: Interface Modeling; FANTINI, M.C.A.; SANTOS, P. V.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; 5th Brazilian School On Semiconductor Physics, (1992) 225
  77. Photocurrent Oscillations in a-SiC:H Double Barrier Devices Exhibiting Negative Differential Resistance; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; Springer Proceedings In Physics, 62 (1992) 387
  78. TFTs With an a-SiCx:H Insulator Layer; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; ANDRADE, A. M.; Springer Proceedings In Physics, 62 (1992) 387
  79. Negative Resistance in a-SiCx:H Double Barrier Devices - Frequency Dependence; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; KOMAZAWA, A.; SASSAKI, C. A.; ARASAKI, A. T.; Journal of Non-Crystalline Solids, 114 (1989) 762
  80. Transistores de filme fino de a-Si:H/a-SiC:H ; KOMAZAWA, A.; CARRENO, M.N.P.; ANDRADE, A. M.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, (1989)
  81. Um sensor de imagem básico em silício amorfo; ARASAKI, A. T.; SASSAKI, C. A.; CARRENO, M.N.P.; KOMAZAWA, A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, (1989)
  82. Negative Conductance and Sequential Tunelling in Amorphous Silicon-Silicon Carbide Double Barrier Devices; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; ALVAREZ, F.; Journal of Non-Crystalline Solids, 110 (1989) 175
  83. Integral Thin Film Technology Amorphous Silicon Image Sensor; SASSAKI, C. A.; ARASAKI, A. T.; CARRENO, M.N.P.; KOMAZAWA, A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Journal of Non-Crystalline Solids, 115 (1989) 90
  84. Density of Gap States in Non-Stoichiometric a-SiCx:H Films; ONMORI, R. K.; RAMOS, C. A. S.; CARRENO, M.N.P.; ANDRADE, A. M.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; Thin Films And Small Particles, 11 (1989) 298
  85. Evidence of quantum size effects in a-Si:H/a-SiC:H Superlattices. Observation of negative resistance in double barrier structures; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; ONMORI, R. K.; SASSAKI, C. A.; ANDRADE, A. M.; ALVAREZ, F.; Journal of Non-Crystalline Solids, 97-98 (1987) 871 - 874
  86. Highly Uniform Large Area A-Si: H Films; SANEMATSU, M. S.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; ANDRADE, A. M.; MARTINS, R. F. P.; SOLAR CELLS, 14 (1985) 281 - 287
  87. Optical properties of off-Stoichiometric Germanium Nitride Compounds 'a-Ge1-xNx'; CISNEROS, J.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; MOEHLECKE, S.; LOSCH, W.; Journal of Non-Crystalline Solids, (1985) 0 - 0
  1. Study of MOS Capacitors with Annealed TiO2 Gate Dielectric Layer; ALBERTIN, K.F.; VALLE, M. A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: 22nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 9 (2007) 461 , Ro de Janeiro
  2. 3D topography in self-sustained membranes of SiOxNy obtained by PECVD technique at low temperatures; CARRENO, M.N.P.; LOPES, A. T.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XVII International Conference on Microelectronics and Packaging (ICMP'2002), (2002) , Porto Alegre
  3. Evaluation of the Fracture Toughness of Silicon Carbide Thin Films through Two Different Indentation Techniques; SOUSA, R. M.; CUPPARI, M. A. V.; PINTAUDE, G.; LÓPEZ, J. V.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SINATORA, A.; In: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 22), (2001) MoP11.7 , Colorado - USA
  4. Fabrication of Self-Sustained Membranes using PECVD SiOxNy Films; LOPES, A. T.; ALAYO, M.I.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XV Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência de Materiais, (2000) , Natal - RN
  5. P-type doping in a-Si1-xCx:H obtained by PECVD; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 82 (1999) 1395 - 1397,
  6. Wide optical bandgap window layer for Solar Cells; YU, Z.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; In: , 299 (1999) 137 - 142,
  7. Mechanical Properties of Boron Nitride Thin Films obtained by rf-PECVD at Low Temperatures; LÓPEZ, J. V.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: International Symposium on natural polymers an composities - ISNaPol 2002, (1999) , São Pedro
  8. Deposition of Thick SiOxNy and SiO2 Films by PECVD; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; In: XV Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência de Materiais, (1998) , Natal - RN
  9. N-type doping in a-SiC:H obtained under starving plasma condition; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PERES, H. E. M.; In: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, (1997) , Lisboa, Portugal
  10. Low Temperature Pecvd Boron Nitride Films ; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; BOTTECHIA, J. P.; In: II Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, (1997) , Rio de Janeiro
  11. Effect of the Starving Plasma condition on the properties of silicon carbon alloys deposited by PECVD ; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 36 (1996) 375 - 378,
  12. Structural Characterization of a-Si1-xCx:H for Applications in TFT's; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; FANTINI, M.C.A.; TAKAHASHI, H.; LANDERS, R.; In: , 05 (1992) 01 - 04,
  13. Influence on Hydrogen Plasma in the Properties of a-Si:H/a-SiC:H Interfaces; FANTINI, M.C.A.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; ANDRADE, A. M.; In: XV International Conference on Microelectronics and Packaging, (1991) 203 - 207, Manaus
  14. Improved Backside Hudrogenation On Semicrystalline Silicon Solar Cells By Rf Plasma; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 100 (1990) 295 - 300,
  15. Effect Of The Deposition Parameters On The Eletro-Optical Properties Of Micricrystalline Hydrogenation Silicon Alloys; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 413 (1990) 59 - 64,
  16. Annealing And Temperature Effects On Minority Carriers In Ion Implanted Silicon Solar Cells; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 52 (1990) 83 - 85,
  17. Impurity Gettering In Semicrystalline Silicon Solar Cells; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 402 (1989) 154 - 161,
  18. Negative Resistance In 'A-Sic Ind.X':H Double Barrier Devices-Frequency Dependence; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 27/A (1989) 146 - 149,
  19. Study of Carbon Incorporation in a-Si1-xCx:H Films; ONMORI, R. K.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; SASSAKI, C. A.; CARRENO, M.N.P.; In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2006, 4 (1989) 161 - 169, Belo Horizonte
  20. .Ackside Hydrogenation On Semicrystalline Silicon Solar Cells By Rf Plasma; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 398 (1989) 626 - 631,
  21. Study Of Carbon Incorporation In 'A-Si Ind. 1-X' Films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 288 (1989) 88 - 95,
  22. Density, Of Gap States In Non-Stoichionetric 'A-Sic Ind.X' Films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 352 (1988) 1438 - 1443,
  23. Amorphous Silicon Thin Film Field Effect Transistor; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 114 (1988) 762 - 764,
  24. Evidence Of Quantum Size Effects In 'A-Si:H' 'A-Sic:H' Superlattices Observation Of Negative Resistance In Double Barrier Structures; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 97-98 (1987) 871 - 874,
  25. Efeitos das Dimensões Quânticas em Heteroestruturas de Si-a:H/Sic-a:H; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; ONMORI, R. K.; SASSAKI, C. A.; ANDRADE, A. M.; In: , 107 (1987) 3733 - 3737,
  26. Influence of a DC Electric Field on the Hydrogen Incorporation and Doping Efficiency of a-Si:H Films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; SASSAKI, C. A.; ANDRADE, A. M.; In: Photonics West 2007: MOEMS, MEMS, Micro and Nanofabrication, 6466 (1986) 64660C-1 - 64660C-9, San Jose - California
  27. Influence Of A Dc Electric Field On Hydrogen Incorporation And Doping Efficiency Of 'A-Si:H' Films; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: 20th Symposium On Microelectronics Technology And Devices, 200508 (1986) 61 - 65, Florianópolis - Santa Catarina
  28. The Role Of Ito Layer On The Performance Of 'A-Si' Solar Cells Produced In A Two Consecutive Decompisition And Deposition Chamber System; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 50 (1985) 241 - 247,
  29. Eletro-Optical Characterization Of'A-Si:H' Films Deposited In A Two Consecutive Decomposition And Deposition Chamber System; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: , 77 (1985) 144 - 149,
  1. Análise do Espectro Vibracional de ligas de Silício-Carbono de Composição Variável; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; PRADO, R.J.; CARRENO, M.N.P.; FANTINI, M.C.A.; TABACKNICS, M. R.; In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, (1996) , Aguas de Lindóia, SP
  2. Nitreto de Boro obtido por PECVD a baixas temperaturas; CARRENO, M.N.P.; BOTTECHIA, J. P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, (1996) , Aguas de Lindóa, SP
  3. Distribuição de Poros em a-SiC:H obtido por PECVD; PRADO, R.J.; BITTENCOURT, D. R. S.; TABACKNICS, M. R.; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, (1996) , Aguas de Lindóia, SP
  4. Efeito da Condição de Starving Plasma na obtenção de Filmes de Carbeto de Silício Crescidos por PECVD; CARRENO, M.N.P.; ALAYO, M.I.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, (1995) , Caxambú, MG
  5. On the Structural Properties of a-Si1-xCx:H thin Films; MASTELARO, V.; FLANK, A. M.; FANTINI, M.C.A.; BITTENCOURT, D. R. S.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: V Workshop de Usuários do LNLS, (1994) , Campinas, SP
  6. EXAFS e SAXS de Filmes Finos de a-Si1-xCx:H; MASTELARO, V.; FLANK, A. M.; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: Oficina de Propriedades de Materiais de Camada Fina para Aplicações Fotovoltaicas, Microeletrônicas e Recobrimentos, (1994) , Campinas, SP
  7. Efeitos dos Parâmetros de Deposição sobre a Qualidade de Multicamadas de a-Si:H/a-Si1-xCx:H; VELASQUEZ, E. L. Z.; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; TAKAHASHI, H.; LANDERS, R.; In: XV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, ENFMC, (1992) , Caxambú, MG
  8. Determinação por EXAFS da Ordem Local de Filmes de a-Si1-xCx:H; MASTELARO, V.; FLANK, A. M.; FANTINI, M.C.A.; BITTENCOURT, D. R. S.; CARRENO, M.N.P.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: XII Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia, (1992) , São Paulo, SP
  9. Estudo por difração de raios-X de estruturas de multicamadas amorfas; FANTINI, M.C.A.; SANTOS, P. V.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; CARRENO, M.N.P.; In: 6th Ibero-American Conference on Optics (RIAO); 9th Latin-American Meeting on Optics, Lasers and Applications (OPTILAS), 992 (1990) 743 - 748, Campinas - São Paulo
  10. Multicamadas Amorfas de a-Si:H/a-Ge:H e a-Si:H/a-SiC: Um Estudo por Difração de Raios-X a Baixo Ângulo; FANTINI, M.C.A.; CARRENO, M.N.P.; SANTOS, P. V.; PEREYRA, I.;Pereyra, Inés;Pereyra, Inà s; In: 17a Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Cristalografia, (1990) , Campinas, SP
Orientações em andamento

MESTRADO

  1. Igor Yamamoto Abe
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    ESTUDO DA ELETROLUMINESCÊNCIA EM FILMES DE NITRETO DE SILÍCIO DEPOSITADOS PELA TÉCNICA DE PECVD
    2011

DOUTORADO

  1. Marcus Vinicius Pelegrini
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Deposição e caracterização de filmes de BST visando sua utilização em defasadores inteligentes operando em 60GHz
    2012

Orientações concluídas

MESTRADO

  1. Tiago Marques Fraga
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    PRODUÇÃO DE NANOTUBOS DE TiO2 VISANDO SUA APLICAÇÃO EM CÉLULAS SOLARES
    2012

  2. Marcus Vinicius Pelegrini
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo de materiais piezoelétricos da família III-V obtidos por sputtering reativo visando sua aplicação em sensores e MEMS
    2010

  3. Ary Adilson Morales Alvarado
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo, crescimento e caracterização de filmes de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) depositados por PECVD visando aplicações em MEMS e Óptica Integrada
    2007

  4. Marcia Ribeiro
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Fotoluminescência e espectroscopia Raman em filmes finos semicondutores de gap largo
    2004

  5. Denise Criado Pereira de Souza
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy ), pela técnica de PECVD
    2003

  6. Kátia Franklin Albertin
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo e fabricação de capacitores MOS e TFT's com camada isolante de SiOxNy crescidos por PECVD
    2003

  7. Ricardo Aparecido Rodrigues de Oliveira
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício oxigênio e nitrogênio ricas em silício (a-SiOxNy :H), pela técnica de PECVD
    2003

  8. Robinson Oliva Salazar
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Desenvolvimento de filmes de Carbeto de Silício dopados tipo p e estudo da obtenção de contatos ôhmicos
    2001

  9. Carlos Alberto Villacorta
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Desenvolvimento de Filmes Microcristalinos de Carbeto de Silício Obtidos A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd
    1998

  10. Marco Isaías Alayo Chavez
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Desenvolvimento de Filmes Finos de Óxido de Silício Obtido A Baixas Temperaturas Pela Técnica de Pecvd
    1996

  11. Carlos Alberto Santos Ramos
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Produção e Caraterização de Películas de Silício Amorfo Hidrogenado Dopadas com Boro
    1991

  12. Roberto Koji Onmori
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Influência do conteúdo de carbono nos materiais de silício amorfo hidrogenado
    1990

  13. Marcelo Nelson Páez Carreño
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Super Redes de Silicio Amorfo
    1988

  14. Marcio Tarozzo Biasoli
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Películas de dióxido de estanho, obtenção e aplicação como contato transparente e como camada antirefletora em células solares
    1984

DOUTORADO

  1. Marcia Ribeiro
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Produção e caracterização de multicamadas de dimensões nanométricas de filmes a base de silício
    1994

  2. Denise Criado Pereira de Souza
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD
    1994

  3. Kátia Franklin Albertin
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo de Camadas Dielétricas para aplicação em Capacitores MOS
    1994

  4. Neisy Amparo Escobar ForhamEscola Politécnica
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    (Neisy Amparo Escobar Forhan) Obtenção de novas heteroestruturas por solda direta e separação por implantação iônica
    1994

  5. Edison Fernandes Motta
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Obtenção e caracterização de semicondutores de Gap largo pela técnica de PECVD
    1994

  6. Marco Isaías Alayo Chavez
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Estudo e Optimização das propriedades elétricas de filmes de SiO2 obtido por PECVD. Aplicação em dispositivos MOS-FET
    1994

  7. Marcelo Nelson Páez Carreño
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Filmes de Carbeto de Silício de Alto Gap Öptico Obtidos Pela Técnica de Pecvd
    1994

  8. Maria Aparecida G S Pajanian
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos
    1994

  9. Antonio Fernando Beloto
    ORIENTADOR_PRINCIPAL
    Técnicas para otimização de células solares de uso espacial
    1994

OUTRAS ORIENTAÇÕES

  1. Katia Franklin Albertin
    - Supervisão de pós-doutorado
    Filmes de TiO2 e TiOxNy obtidos pela técnica de rf magnetron sputtering
    2010

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