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Katia Franklin Albertin Colaborador
E-mail:
katia.torres@ufabc.edu.br
Fone: +55 11 3091-0722
Sala: C2-66
Currículo Lattes: http://lattes.cnpq.br/2822343808551014
Orientador/Supervisor: Inés Pereyra
Perfil/Atividades

Possui graduação em Materiais Processos e Componentes Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo (2000), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2003) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2007), atuando principalmente na área de filmes finos e nanotubos de TiOxNy e TiO2, visando a aplicação em  energia renovável, tratamento de efluentes industriais, sensores, optica integrada e dispositivos semicondutores MOS. Atualmente é professora do Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas da Universidade Federal do ABC.

Trabalhos relacionados
Teses e dissertações

Tese doutorado: Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS

Data defesa: 05/10/2007
Download: Arquivo PDF
Link banco de teses: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/

Dissertação mestrado: Estudo e Fabricação de Capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositadas por PECVD

Data defesa: 01/03/2003
Download: Arquivo PDF

Produção Acadêmica
  1. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 27 (2009) 236 - 245
  2. Improved effective charge density in MOS capacitors with PECVD SiOxNy dielectric layer obtained at low RF power; ALBERTIN, K; PEREYRA, I; ALBERTIN, K. F.; Journal of Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 2646 - 2651
  3. Study of MOS Capacitors With TiO2 and SiO2/TiO2 Gate Dielectric Layer; ALBERTIN, K. F.; VALLE, Marcio A; PEREYRA, Inés; Journal of Integrated Circuits and Systems, 2 (2007) 89 - 93
  4. Correlation of PECVD SiOxNy dielectric layer structural properties and Si/SiOxNy/Al capacitors interface electrical properties; ALBERTIN, K; PEREYRA, I; ALBERTIN, K. F.; Journal of Non-Crystalline Solids, 352 (2006) 1438 - 1443
  5. One step a-Si:H TFT´s with PECVD SiOxNy gate insulator; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; Revista Mexicana de Fisica, 52 (2006) 83 - 85
  6. Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication; GARCIA, B; ESTRADA, M; ALBERTIN, K; CARRENO, M; PEREYRA, I; RESENDIZ, L; ALBERTIN, K. F.; Solid-State Electronics, 50 (2006) 241 - 247
  7. Study of PECVD SiON films dielectric properties with different nitrogen concentration utilizing MOS capacitors; ALBERTIN, K; PEREYRA, I; ALBERTIN, K. F.; Microelectronic Engineering, 77 (2005) 144 - 149
  8. MOS capacitors with PECVD SiOxNy insulating layer; ALBERTIN, K; ALBERTIN, K. F.; Materials Characterization, 50 (2003) 149 - 154
  1. Study of MOS Capacitors with annealed TiO2 Gate Dielectric Layer; ALBERTIN, K. F.; VALLE, Marcio A; PEREYRA, Inés; In: 22th Symposium Microelectronic Technologic Devices SBMicro, 9 (2007) 461 - 470, Rio de janeiro
  2. Optimized SiOxNy PECVD TFT´s; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: V Ibersensor, (2006) , Montevideo, Uruguai
  3. Study of TiO2 and SiO2/TiO2 as Gate Dielectric Materials; ALBERTIN, K. F.; VALLE, Marcio A; PEREYRA, Inés; In: , 100 (2006) 295 - 300,
  4. Xanes Analysis of Amorphous Silicon Alloys; CRIADO, D.; ALBERTIN, K. F.; M.C.A. Fantini; ALAYO, M. I.; PEREYRA, Inés; In: , 212 (2005) 225 - 231,
  5. Polycrystallization of a-SiC:H layers by excimer laser annealing for TFT fabrication.; GARCÍA, B.; ESTRADA, M.; ALBERTIN, K. F.; CARREÑO, M.N.P.; In: 20th Symposium On Microelectronics Technology And Devices, 200508 (2005) 61 - 65, Florianópolis - Santa Catarina
  6. XANES Analysis of Amorphous Silicon Rich Oxynitride; CRIADO, D.; ALBERTIN, K. F.; M.C.A. Fantini; ALAYO, M. I.; PEREYRA, Inés; In: 14a Reunião Anual de Usuários do LNLS, (2005) , Campinas
  7. ESTUDO DA CONDUTIVIDADE DO SILÍCIO AMORFO OBTIDO POR PECVD A BAIXA TEMPERATURA.; A.T.Costa; ALBERTIN, K. F.; M.N.P. Carreño; In: 6º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica, BT/17 (2004) 32 , São Paulo - SP
  8. ONE STEP TFT S WITH PECVD SIOXNY GATE LAYER; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: 19th Symposium Microelectronics Technology and Devices, SBMicro, PV2004 (2004) , Porto de Galinhas - Recife
  9. ESTUDO DE FILMES DE A-SI1-XCX DE ALTO GAP ÓPTICO OBTIDOS POR PECVD; A. Abe; ALBERTIN, K. F.; M.N.P. Carreño; In: 6º Simpósio de Iniciação Científica e Tecnológica, BT/17 (2004) 33 , São Paulo-SP
  10. Analysis and fabrication of MOS capacitors with PECVD SiOxNy insulating layer; ALBERTIN, K. F.; CRIADO, D.; ALAYO, M. I.; PEREYRA, Inés; In: , 14 (2001) 281 - 287,
  1. Improved Effective Charge Density in MOS Capacitors with PECVD SiOxNy Dielectric Layer Obtained at Low RF Power; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: 22st International Conference on Amorphous and Nonocrystalline Semiconductors, (2007) , Breckenrigde, Colorado, EUA
  2. Study of structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis; ALBERTIN, K. F.; M.C.A. Fantini; PEREYRA, Inés; In: 5o Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, (2006) , Florianópolis, Santa Catarina
  3. Correlation of PECVD SiOxNy Dielectric Layer Structural Properties and Si/SiOxNy/Al Capacitors Interface Electrical Properties; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, (2005) , Lisboa, Portugal
  4. COMPARASION OF THE STRUCTURAL PROPERTIES OF THE PECVD SIOXNY DIELECTRIC LAYER WITH THE INTERFACE ELECTRICAL PROPERTIES IN SI/SIOXNY, AL CAPACITORS. ; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; M.C.A. Fantini; In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, SBPMat 2004, (2004) 152 , Foz do Iguaçú
  5. ONE STEP a-SI:H TFT S WITH PECVD SIOXNY GATE INSULATOR; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: IV Congreso Iberoamericano de Sensores, IV Ibersensor, (2004) 35 , Puebla, México
  6. VERY WIDE BAND GAP DIAMOND LIKE A-SIC:H OBTAINED BY PECVD; ALBERTIN, K. F.; A. Abe; M.N.P. Carreño; In: III Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, SBPMat 2004, (2004) 153 , Foz do Iguaçú
  7. Study of PECVD Materials for TFT Application; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; In: II Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, (2003) , Rio de Janeiro
  8. MOS Capacitors with PECVD SiOxNy Insulating Layer; ALBERTIN, K. F.; PEREYRA, Inés; ALAYO, M. I.; In: Proceedings of the 1st Brazilian Material Research Society Meeting, (2002) , Rio de Janeiro
Orientações em andamento

INICIAÇÃO CIENTÍFICA

  1. Bruno Nobaro
    Estudo das propriedades físicas de filmes de TiOxNy obtidos pela tecnica de RF Magnetron Sputtering
    2008

  2. Takuya Niwa
    ESTUDO DE CAPACITORES MOS FABRICADOS COM CAMADA DIELÉTRICA DE TiOXNY OBTIDA POR RF MAGNETRON SPUTTERING
    2008

Orientações concluídas

OUTRAS ORIENTAÇÕES

  1. ADRIANA TIEMI ABE
    - INICIACAO_CIENTIFICA
    Estudo de Filmes de a-Si1-xCx:H de Alto Gap Óptico e a-Si:H Obtidos por PECVD
    2005

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