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Atualização: Sex, 10 de Abril de 2009 às 12h50 | Por: Alessandro Ricardo de Oliveira | RSS
Corrosão por plasma de filmes amorfos e cristalizados de SiC obtidos por PECVD
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Responsável: - Alessandro Ricardo de Oliveira
Coordenador: - Marcelo Nelson Páez Carreño

A corrosão do a-SiC:H é um processo complexo que envolve efeitos físicos e químicos na remoção dos átomos de Si, C, H do filme. Como quebrar as ligações de Si-H ou C-H em filmes de a-SiC:H é relativamente fácil, o principal fator limitante para o processo de corrosão é a remoção dos átomos de carbono. A corrosão do SiC por RIE (Reactive Ion Etching) tem sido comumente investigada utilizando gases fluorados misturados com oxigênio. Em geral, a dissociação de gases fluorados leva à formação de átomos livres de F e fragmentos fluorados, que reagem com os átomos de silício. Por outro lado, a corrosão do carbono pode ser feita pela adição de O2 na mistura de gasosa, assim os produtos SiF4 e COn (n = 1 ou 2), respectivamente, são voláteis.

 

Para fabricar dispositivos eletrônicos ou MEMS, é exigida uma corrosão seletiva do material porque o SiC é inerte à maioria das substâncias químicas aquosas a temperaturas menores que 600 ºC. A corrosão úmida através de ácidos ou bases não é um método prático para fabricação de dispositivos de SiC, porém, foi mostrado que corrosões secas baseadas em plasmas de compostos fluorados são capazes de produzir taxas de corrosão aceitáveis (10-100 nm/min). Os mecanismos básicos para a corrosão do SiC em plasmas fluorados consistem em uma combinação de reações químicas (reações com F e O) e físicas (íons enérgicos) para o processo de remoção. Em geral, os parâmetros que devem ser considerados para o processo de corrosão seca por plasma incluem a taxa de corrosão, seletividade com relação à camada de mascaramento, anisotropia e presença ou ausência de resíduos na região corroída. Como mencionado anteriormente, filmes amorfos e cristalinos de SiC devem ser utilizados na fabricação de dispositivos para sejam avaliados quanto ao seu desempenho. Assim, apresentamos a cristalização de filmes de a-SiC:H obtidos a baixas temperaturas pela técnica PECVD e a corrosão destes respectivos filmes utilizando plasmas baseados em CHF3+O2.

Tags: corrosão, cristalização, a-SiC:H, PECVD, SiC, filmes amorfos
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