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Atualização: Sex, 10 de Abril de 2009 às 12h50 | Por: Alessandro Ricardo de Oliveira | RSS
Desenvolvimento de Diodos Schottky baseados em filmes finos semicondutores amorfos e cristalizados de carbeto de silício obtido por PECVD
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Responsável: - Alessandro Ricardo de Oliveira
Coordenador: - Marcelo Nelson Páez Carreño

Tags: PECVD, a-SiC:H, cristalização, diodos
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