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Atualização: Dom, 26 de Abril de 2009 às 20h46 | Por: Márcia Ribeiro | RSS
Semicondutores de alto gap obtidos por PECVD : Fotoluminescência e espectroscopia Raman
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Responsável: - Márcia Ribeiro
Coordenador: - Inés Pereyra

Este trabalho teve por objetivo estudar a emissão luminescente de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) ricos em silício de concentração variável, depositados pela técnica de PECVD e correlacioná-la com a estrutura e composição química das amostras. Esta pesquisa foi motivada pelo recente interesse que  materiais fotoluminescentes, compatíveis com a tecnologia do silício, tem apresentado para a  optoeletrônica integrada. Assim a partir da observação por Canham da intensa emissão luminescente no silício poroso, novas alternativas foram procuradas como por exemplo a de clusters de silício embebidos em matrizes isolantes de SiO2 ou Si3N4, as quais têm apresentado intensa emissão luminescente no faixa do visível. Os filmes estudados neste trabalho foram caracterizados por espectroscopia Raman para análise estrutural e fotoluminescência (PL). A composição química foi obtida por retroespalhamento Rutherford (RBS). Também foi analisado o efeito de tratamentos térmicos na estrutura e ma emissão luminescente dos filmes. Os resultados mostraram que as amostras mais ricas em silício, como depositadas, apresentaram aglomerados de silício, responsáveis pela emissão luminescente. Os resultados da espectroscopia Raman associados aos da fotoluminescência indicaram que a energia média da emissão está relacionada com o tamanho dos aglomerados de silício presentes no material. Verificou-se que as mudanças estruturais induzidas nos filmes pelos tratamentos térmicos resultaram em variações na sua emissão luminescente.

Tags: Fotoluminescência, SiOxNy rico em silício, espectroscopia Raman
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