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Atualização: Sáb, 05 de Junho de 2010 às 14h58 | Por: Marcelo Nelson Pez Carreo | RSS
Dispositivos de barreira baseados em estruturas de Si/SiC microcristalino
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Responsável: - Zhenrui Yu
Coordenador: - Marcelo Nelson Pez Carreo - Ins Pereyra

O objetivo destas pesquisas foi dar continuidade a estudos prévios sobre efeitos de tamanho quantico em silício amorfo hidrogenado (a-Si:H). Nesses trabalho tinham sido observados efeitos como aumento do gap óptivo em multicamadas e resistência negativa em dispositivos de barreira dupla [1-4], sempre trabalhando com estruturas de  a-Si:H e a-SiC:H (carbeto de silício amorfo hidrogenado ) obtidos por “Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition” (PECVD). Assim, trabalho deu continuidade a esses estudos, focando na utilização de materiais microcristalinos. 

Estas pesquisas foram desenvolvidas durante um estagio de Pós-doutarado pelo Dr. Zhenrui Yu, da Nankai University, R.P. China, que desenvolveu o projeto “Multicamadas de a-Si:H/a-SiC:H - Análise de Interfaces e de Efeitos de Tamanho Quântico”,  com financimento da FAPESP (Processo No 96/2073-8).  Os principais resultados destas pesquisas foram descritos nos eguintes trabalhos :

  1. “Intrinsic and Doped Microcrystalline Silicon Films for Application in Double Barrier Structures”, Zhenrui Yu, M.N.P. Carreño, I. Pereyra, T.F. D’Addio and M.C.A. Fantini, Brazilian Journal of  Physics 27/A(4), (1997) 105-109.
  2. “Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures”, Zhenrui Yu, M.N.P. Carreño, I. Peryra, T.F.D.’Addio and M.C.A. Fantini, 8th Brazilian Workshop of Semiconductors Physics, Aguas de Lindoia, SP, Febereiro, 1997. MO-34.
  3.  “Observation of Negative Differential Resistance in mc-Si:H/a-Si1-xCx:H Double Barrier Devices”, Zhenrui Yu, I. Pereyra and M.N.P. Carreño, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.38, part 1, No.3A (1999) 1317-1319.

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Referencias :

  1. "Evidence of Quantum Size effects in a-Si:H/a-SiCx:H Superlattices. Observation of Negative Resistance in Double Barrier Structures." I.Pereyra, M.N.P. Carreño, R.K.Onmori, C.A. Sassaki, A.M.Andrade and F.Alvarez. Journal of non-Crystalline Solids, 97-98, p. 871, 1987.
  2. "Super Redes de Silício Amorfo", mestrado de M.N.P. Carreño, EPUSP, 1998.
  3. "Negative Conductance and Sequential Tunelling in Amorphous Silicon-Silicon Carbide  Double Barrier Devices". I. Pereyra, M.N.P. Carreño and F. Alvarez . Journal of Non-Crystalline Solids 110, p. 175, 1989.
  4. "Negative Resistance in a-SiCx:H Double Barrier Devices - Frequency Dependence", M.N.P. Carreño, I. Pereyra, A. Komazawa and A.T. Arasaki, Journal of Non-Crystalline Solids 114, p.762, 1989.
     

Tags: Microcrystalline Si/SiC double barrier structures
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